吉田キャンパス（本部構内）

利用可能設備

20. 超高精細高精度電子ビーム描画装置 
21. レーザー直接描画装置 
22. マスクレス露光装置 
23. 露光装置（ステッパー） 
24. 多元スパッタ装置 
25. 多元スパッタ装置 
26. プラズマCVD装置 
27. 超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡 
28. 電子サイクロトロン共鳴イオンビーム加工装置 
29. 磁気中性線放電ドライエッチング装置 
30. 基板接合装置 
31. 分析走査電子顕微鏡 
32. レーザアニーリング装置 
33. 深堀りドライエッチング装置 
35. シリコン酸化膜犠牲層ドライエッチングシステム 
36. 集束イオンビーム/走査電子顕微鏡 
37.レーザダイシング装置 
38.クリーンルーム 
39. クリーンルーム 
40. 大面積超高精度電子線描画装置 
54. [S-1]クリーンルーム
57. スーパーコンピュータシステム 
58. BD セルソーター Aria II SORP 
59. STED超解像顕微鏡 
60. 共焦点･FCCS顕微鏡 
61. 超解像顕微鏡 
62. 格子構造化照明超解像顕微鏡システム
63. ウェハプロファイラ装置
64. 誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置
65. 高圧ジェットリフトオフ装置
81. 手動露光・ボンドアライメント装置
82. 原子層堆積装置（ALD） SAMCO製 AD-800LP-KN
83. UVナノインプリント装置 EVG製 EVG6200TBN
84. 熱インプリント装置 EVG製 EVG510
90. 電子回折統合プラットフォーム XtaLABSynergy ED
91. マルチレーザーマスクレス描画装置システム

詳細

設備番号20
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称超高精細高精度電子ビーム描画装置
メーカー名、型番等エリオニクス製 高速高精度電子ビーム描画装置 ELS－F125HS
購入年月平成22年
おもな仕様・機能・特徴加速電圧： 125kV、100kV、75kV、50kV、25kV
描画最小線幅： 5nm （125kV）
設置場所吉田キャンパス（本部構内）
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号21
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称レーザー直接描画装置
メーカー名、型番等（ドイツ）Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH社 レーザー直接描画装置DWL200 LD3D
購入年月平成22年
おもな仕様・機能・特徴最大基板サイズ： 200×200mｍ2 
最小描画サイズ： 0.6μm
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号22
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称マスクレス露光装置
メーカー名、型番等ナノシステムソリューションズ製 マスクレス露光装置 D-light DL-10000GS／KCH
購入年月平成22年
おもな仕様・機能・特徴最小画素： 1μm
ワークサイズ： φ6インチ
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号23
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称露光装置（ステッパー）
メーカー名、型番等ニコン製 縮小投影型露光装置 NSR-2205i11D
購入年月平成22年
おもな仕様・機能・特徴解像度： 0.35μm以下
露光光源： i線（365nm）
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号24
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称多元スパッタ装置
メーカー名、型番等多元スパッタ装置 キヤノンアネルバ製 EB1100 スパッタ装置（仕様A）
購入年月平成22年
おもな仕様・機能・特徴平行平板スパッタ。2元同時スパッタ可能。
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号25
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称多元スパッタ装置
メーカー名、型番等多元スパッタ装置 キヤノンアネルバ製 EB1100 スパッタ装置（仕様B）
購入年月平成22年
おもな仕様・機能・特徴平行平板スパッタ。3元同時スパッタ可能。
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号26
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称プラズマCVD装置
メーカー名、型番等住友精密工業製 プラズマCVD装置 MPX－CVD
購入年月平成22年
おもな仕様・機能・特徴均一性：面内≦±3%、ウエハ間≦±3%
厚膜：≧40μm
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号27
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ電子顕微鏡
設備名称超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡
メーカー名、型番等日立超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡 SU8000
購入年月平成22年
おもな仕様・機能・特徴像分解能： 1.0nm＊15kV 1.4nm＊1kV
取得可能像： 二次電子像、組成像、透過像、透過暗視野像
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号28
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称電子サイクロトロン共鳴イオンビーム加工装置
メーカー名、型番等エリオニクス製 ECRイオンシャワー装置 EIS-1200
購入年月平成22年
おもな仕様・機能・特徴微細加工のエッチング。イオンビーム有効径φ108mm。試料サイズ　最大φ6インチ。
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号29
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称磁気中性線放電ドライエッチング装置
メーカー名、型番等高密度プラズマドライエッチング装置NLD-570
購入年月平成22年
おもな仕様・機能・特徴高速エッチングが可能（石英＞1μm/min、Pyrex＞0.8μm/min）
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号30
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称基板接合装置
メーカー名、型番等（ドイツ）ズース・マイクロテック社製 基板接合装置 SUSS SB8e SPEC-KU
購入年月平成22年
おもな仕様・機能・特徴接合：陽極接合、共晶接合、接着剤接合、フュージョン接合、SOI、熱圧着接合
基板サイズ：φ6インチまで
アライメント精度：0.25um（上面）、1.0um（下面）
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号31
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ電子顕微鏡
設備名称分析走査電子顕微鏡
メーカー名、型番等

主な構成機器

  1. 日立ハイテクノロジーズ製 低真空分析走査電子顕微鏡 SU6600
  2. （英国）オックスフォード・インストゥルメンツ製 エネルギー分散型X線分析システム
購入年月平成22年
おもな仕様・機能・特徴Be～Uまでの元素分析が可能。結晶方位解析装置（EBSP）が付属しており、試料の結晶性評価が可能。二次電子像、組成像
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号32
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリレーザー
設備名称レーザアニーリング装置
メーカー名、型番等AOV製 レーザアニーリングシステム LAEX-1000
購入年月平成22年
おもな仕様・機能・特徴搭載レーザ： KrFエキシマレーザー
波長： 248nm、308nm、193nm
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号33
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称深堀りドライエッチング装置
メーカー名、型番等サムコ製 装置本体 RIE-801iPB-KU
購入年月平成22年
おもな仕様・機能・特徴基板サイズ： φ8インチまで。最大56μm/minのSiの高速エッチング。フォトレジストマスクにて高い選択比のエッチングが可能
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号35
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称シリコン酸化膜犠牲層ドライエッチングシステム
メーカー名、型番等

主な構成機器

  1. 住友精密工業製 シリコン酸化膜犠牲層エッチング装置 MLT-SLE-Ox
  2. 米国 XACTIX社製 シリコン犠牲層エッチング装置 Xetch X3B
購入年月平成22年
おもな仕様・機能・特徴フッ化水素（HF）ガスによりシリコン酸化膜をドライエッチングす。基板は3枚まで同時にエッチング可能。 フッ化キセノン（XeF2）により、Siを常圧、非プラズマ条件下でドライエッチング可能。SiO2やSi3N4 Alなどに対して、全くエッチング作用がないため、高選択比エッチングが可能
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号36
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ電子顕微鏡
設備名称集束イオンビーム／走査電子顕微鏡
メーカー名、型番等エスアイアイ・ナノテクノロジー製 集束イオンビーム化学気相成長装置 Nvision40
購入年月平成23年
おもな仕様・機能・特徴FIBとFE-SEMの複合装置。形状・表面電位・組成などの情報を取得可能。EDS/EBSDによる元素分析・結晶方位解析も同時に可能。また、真空用ナノインデンタ－システム搭載
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号37
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称レーザダイシング装置
メーカー名、型番等東京精密製 レーザダイシング装置 ML200
購入年月平成22年
おもな仕様・機能・特徴ドライプロセスによるダイシングマシン.薄ウエハの切断可能、高速切断可（300mm/sec）
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号38
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称クリーンルーム
メーカー名、型番等大西熱学製 恒温恒湿クリーンブース OSC-385FCS
購入年月平成22年
おもな仕様・機能・特徴イエロールーム： クラス100
その他クリーンルーム： クラス1,000
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号39
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称クリーンルーム
メーカー名、型番等大西熱学製 恒温恒湿クリーンブース OSC-365NF
購入年月平成22年
おもな仕様・機能・特徴クラス：100,000
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号40
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称大面積超高精度電子線描画装置
メーカー名、型番等F7000S-KYT01 製造： アドバンテスト
購入年月平成24年
おもな仕様・機能・特徴解像度：1xnm
露光対象基板：ウエハ（300mm、200mm、6～3インチ）、ガラス基板（6025）
露光方式：CP露光方式・VSB露光方式
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号54
部局名理学研究科・理学部
カテゴリその他
設備名称[S-1]クリーンルーム
メーカー名、型番等京栄社株式会社製、型番等なし
購入年月平成20年3月、平成21年3月
おもな仕様・機能・特徴
  • A室（北側、81ｍ 2 、清浄度クラス100以下）
  • B室（南側、91ｍ 2 、清浄度クラス1000以下）
設置場所吉田キャンパス本部構内 総合研究5号館401号室
問い合わせ先関連リンクに記載しています。
関連リンク京都大学北部キャンパス機器分析拠点
申請書申請書様式
備考北部キャンパス機器分析拠点の登録機器です。申請書は、上記申請書欄のリンクからダウンロードしてください。
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設備番号57
部局名学術情報メディアセンター
カテゴリ計算機
設備名称スーパーコンピュータシステム
メーカー名、型番等

DELL

主な構成機器

  1. Camphor3 (DELL PowerEdge C6620)
  2. Laurel3 (DELL PowerEdge C6620)
  3. Cinnamon3 (DELL PowerEdge C6620)
  4. Gardenia (DELL PowerEdge XE8545)
購入年月令和5年1月
おもな仕様・機能・特徴4種の演算システムから構成されるスーパーコンピュータシステム
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-7424 （情報環境機構 ITサービスデスク（スパコン担当））
E-mail： zenkoku-kyo＊media.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
関連リンクスーパーコンピューター | 京都大学情報環境機構
申請書上記リンクよりよりダウンロードしてください。
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設備番号65
部局名高等研究院
カテゴリ細胞解析
設備名称BD セルソーター Aria II SORP
メーカー名、型番等

ベクトン・ディッキンソン社

主な構成機器

  • Special Order BD FACSAria II セルソーター2レーザー（BLUE／RED）
  • 自動細胞捕集装置（ACDU）
  • 温度コントロールオプション
  • BD FACSAria用コンピューターワークステーション
購入年月平成22年3月
おもな仕様・機能・特徴
  • 4本のレーザーを搭載し、最大13蛍光と2散乱光の同時解析とソーティングが可能。
  • 細胞1個単位の解析を1000万回／秒で行う。自動調整機構が改良されており、従来機に比べて操作負担が軽減されている。
  • ソーティングした細胞を低温で維持することが可能。
設置場所吉田キャンパス本部構内 物質－細胞統合システム拠点本館 A202号室
問い合わせ先iCeMS解析センター
Tel： 075-753-9863
E-mail： info_ac＊icems.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
関連リンクiCeMS解析センター
申請書上記リンクよりよりダウンロードしてください（利用にあたっては、まず、iCeMS解析センターへの利用者登録が必要です）。
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設備番号66
部局名高等研究院
カテゴリ蛍光顕微鏡
設備名称STED超解像顕微鏡
メーカー名、型番等独国ライカマイクロシステムズ社
ライカマイクロシステムズ
TCS SP8 gated STED
購入年月平成22年3月
おもな仕様・機能・特徴
  • 空間分解能50ナノメートルまで対応
  • 先端的な研究に必要
設置場所吉田キャンパス本部構内 総合研究1号館別館 301号室
問い合わせ先iCeMS解析センター
Tel： 075-753-9863
E-mail： info_ac＊icems.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンクiCeMS解析センター
申請書上記リンクよりよりダウンロードしてください（利用にあたっては、まず、iCeMS解析センターへの利用者登録が必要です）。
写真

設備番号67
部局名高等研究院
カテゴリ蛍光顕微鏡
設備名称共焦点･FCCS顕微鏡
メーカー名、型番等独国カールツァイス社
カールツァイス LSM780 ConfoCor3
購入年月平成22年2月
おもな仕様・機能・特徴
  • 蛍光相関分光法に対応
  • スペクトル分光イメージングに対応
  • 生細胞の微弱蛍光長時間観察に対応
設置場所吉田キャンパス本部構内　総合研究1号館別館 301号室
問い合わせ先iCeMS解析センター
Tel： 075-753-9863
E-mail： info_ac＊icems.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンクiCeMS解析センター 
ZEISS-iCeMS Innovation Core
申請書上記リンクよりよりダウンロードしてください（利用にあたっては、まず、iCeMS解析センターへの利用者登録が必要です）。
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設備番号68
部局名高等研究院
カテゴリ蛍光顕微鏡
設備名称超解像顕微鏡
メーカー名、型番等独国カールツァイス社
カールツァイス LSM880 Airyscan
購入年月平成28年3月
おもな仕様・機能・特徴
  • 空間分解能XY方向120ナノメートル、Z方向350ナノメートルまで対応
  • 生細胞の微弱蛍光長時間観察に対応
設置場所吉田キャンパス本部構内　総合研究1号館別館 304号室
問い合わせ先iCeMS解析センター
Tel： 075-753-9863
E-mail： info_ac＊icems.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンクiCeMS解析センター 
ZEISS-iCeMS Innovation Core
申請書上記リンクよりよりダウンロードしてください（利用にあたっては、まず、iCeMS解析センターへの利用者登録が必要です）。
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設備番号75
部局名高等研究院
カテゴリ蛍光顕微鏡
設備名称格子構造化照明超解像顕微鏡システム
メーカー名、型番等独国カールツァイスマイクロコピー社 ELYRAELY.7
購入年月令和4年1月
おもな仕様・機能・特徴
  • 空間分解能60ナノメートルまで対応。
  • 生細胞の高空間分解能高速観察に対応。
設置場所吉田キャンパス本部構内　総合研究1号館別館3階 305号実験室
問い合わせ先iCeMS解析センター バイオ解析部門　藤原敬宏特定准教授
Tel： 075-753-9850
E-mail： tfujiwara＊icems.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンクiCeMS解析センター
申請書上記リンクよりよりダウンロードしてください。
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ELYRAELY.7

設備番号77
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称ウェハプロファイラ装置
メーカー名、型番等東邦テクノロジー株式会社（製造元：米国KLA）
ウェハプロファイラ装置 Zeta-388
購入年月令和4年3月
おもな仕様・機能・特徴多種多様な材料の加工表面の形状（段差、微細な凹凸等）、欠陥観察及び薄膜形成時の膜厚の計測に利用され、加工のばらつきやパラメータの依存性などの追加（周辺）データを、自動搬送、自動処理機能を付加。
設置場所吉田キャンパス本部構内
総合研究6号館
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンク京都大学 ナノテクノロジーハブ拠点ユニット
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ウェハプロファイラ

設備番号78
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置
メーカー名、型番等株式会社アルバック
ドライエッチング装置 Gemini-200E
購入年月令和4年3月
おもな仕様・機能・特徴金属材料の加工を得意とする誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置である。
カセットからの直接搬送機能を備えた自動化・遠隔化に対応している。
設置場所吉田キャンパス本部構内
総合研究6号館
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンク京都大学 ナノテクノロジーハブ拠点ユニット
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誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置

設備番号79
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称高圧ジェットリフトオフ装置
メーカー名、型番等株式会社カナメックス
ウエットプロセス装置 KLO-200SV1
購入年月令和4年3月
おもな仕様・機能・特徴ウェハ表面をレジスト膨潤、メタルリフトオフ、純水リンス、スピン乾燥と処理を行う枚様式装置。
設置場所吉田キャンパス本部構内
総合研究6号館
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンク京都大学 ナノテクノロジーハブ拠点ユニット
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高圧ジェットリフトオフ装置

設備番号81
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称手動露光・ボンドアライメント装置
メーカー名、型番等（独）ズース・マイクロテック社
購入年月平成22年3月
おもな仕様・機能・特徴
  • 接合：陽極接合、共晶接合、接着剤接合、フュージョン接合、SOI、熱圧着接合
  • 基板サイズ：φ6インチまで
  • アライメント精度：0.25um（上面） 1.0um（下面）
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンク京都大学 ナノテクノロジーハブ拠点ユニット
申請書上記リンクに掲載している「京都大学ナノテクノロジーハブ拠点 設備利用管理システム」にアクセスしてください。
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設備番号82
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称原子層堆積装置（ALD） SAMCO製 AD-800LP-KN
メーカー名、型番等サムコ製
原子層堆積装　AD-800LP-KN
購入年月令和5年3月
おもな仕様・機能・特徴
  • 成膜方式：サーマル/プラズマ
  • 基板サイズ：小片～Φ8"
  • 材料ガス：BDEAS（Si系）、TMA（Al系）、TDMAT（Ti系）ほか（要相談）
  • 反応ガス：H2O、O2、O3、N2、NH3、H2
  • キャリアガス：Ar、N2
設置場所吉田キャンパス本部構内
総合研究6号館
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
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設備番号83
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称UVナノインプリント装置 EVG製 EVG6200TBN
メーカー名、型番等EVG製
UVナノインプリント装置 EVG6200TBN
購入年月令和5年3月
おもな仕様・機能・特徴
  • LED光源：365nm、405nm、436nm
  • 最大基板サイズ：6インチΦ（不定形対応）
  • アライメント：±3.0μm
設置場所吉田キャンパス本部構内
総合研究6号館
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
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設備番号84
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称熱インプリント装置 EVG製 EVG510
メーカー名、型番等EVG製
熱インプリント装置 EVG510
購入年月令和5年3月
おもな仕様・機能・特徴
  • 最大基板サイズ：6インチΦ（不定形対応）
  • 最高プロセス温度/荷重：350℃/20kN
設置場所吉田キャンパス本部構内
総合研究6号館
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンク京都大学 ナノテクノロジーハブ拠点ユニット
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設備番号90
部局名高等研究院
カテゴリ構造解析
設備名称電子回折統合プラットフォーム XtaLABSynergy ED
メーカー名、型番等株式会社リガク
購入年月令和6年3月
おもな仕様・機能・特徴単結晶電子回折構造解析法によって、X線では測定が困難な、微少結晶による構造決定が可能。
試料の選択から回折データの取得、構造解析までの一連の作業を、統合したソフトウエア上で一括して行うことができる。
設置場所吉田キャンパス本部構内
KUIAS本館 A103号室
問い合わせ先iCeMS解析センター
Tel： 075-753-9863
E-mail： info_ac＊icems.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンクiCeMS解析センター | 京都大学
申請書iCeMS解析センター利用登録手続き | iCeMS解析センター
上記リンクより登録手続きをしてください。
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設備番号91
部局名学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリその他
設備名称マルチレーザーマスクレス描画装置システム
メーカー名、型番等（独）ハイデルベルグ・インストルメンツ株式会社
購入年月令和6年3月
おもな仕様・機能・特徴
  1. MLA150：波長375nm、DMD方式のマスクレス露光装置、裏面アライメントにも対応
  2. MPO100：2光子重合技術を利用したマイクロ・ナノレベルの3Dプリンター
設置場所吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンク京都大学 ナノテクノロジーハブ拠点ユニット
申請書上記リンクに掲載している「京都大学ナノテクノロジーハブ拠点 設備利用管理システム」にアクセスしてください。
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