金属らせん磁性体の巻き方制御を直接実証―新型磁気メモリ開発に向け重要な基盤を確立―

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 磁気モーメントがらせん状に整列したらせん磁性体は、巻き方(右巻き・左巻き)の自由度を持ち、これを ”0” と ”1”に対応させた新しい磁気メモリへの応用が期待されています。制御した巻き方はこれまで、巨視的な実験手法である電気伝導測定によって、間接的に観測されていました。

 南部雄亮 複合原子力科学研究所特定教授、増田英俊 東北大学講師、柳澤祐太郎 同大学院生、小野瀬佳文 同教授、大石一城 総合科学研究機構主任研究員、新居陽一 慶應義塾大学准教授の研究グループは、スピン偏極中性子散乱実験を行うことでらせん磁性の巻き方を直接観測し、巻き方が試料体積全体の90%以上(最大99%)の高い精度で制御できることを明らかにしました。本研究成果は、らせん磁性体を用いた新型磁気メモリの実現に向け、重要な基盤となることが期待されます。

 本研究成果は 2026 年6月16日に、国際学術誌「PNAS(米国科学アカデミー紀要)」に掲載されました。 

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らせん磁性体の巻き方制御。原子が持つ磁気モーメントがらせん状に整列しており、 右巻き・左巻きの巻き方の自由度が生じる。電流と磁場を同時に印加すると左巻きまたは右巻きに揃えることができる。らせん磁性メモリではこれらを”0”と”1”に割り当てる。
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