研究成果

高純度スズ系ペロブスカイト半導体膜の作製法を確立 -4価のスズ不純物を取り除くスカベンジャー法の開発-


2020年06月16日


     若宮淳志 化学研究所教授、中村智也 同助教、ミンアン・チョン 同助教、シュアイフェン・フ 同博士課程学生、大塚健斗 同修士課程学生、半田岳人 同特任助教、金光義彦 同教授、リチャード・マーディ 同講師、大北英生 工学研究科教授、笹森貴裕 名古屋市立大学教授らの研究グループは、スズ系ペロブスカイト前駆体溶液中の4価のスズ不純物を系中で取り除く手法を開発しました。これにより、優れた半導体特性を示す、高純度スズ系ペロブスカイト半導体膜の作製法を確立することができました。

     本研究成果は、2020年6月16日に、国際学術誌「Nature Communications」のオンライン版に掲載されました。

    図:本研究の概要図

    詳しい研究内容について

    書誌情報

    【DOI】 https://doi.org/10.1038/s41467-020-16726-3

    【KURENAIアクセスURL】http://hdl.handle.net/2433/251455

    Tomoya Nakamura, Shinya Yakumaru, Minh Anh Truong, Kyusun Kim, Jiewei Liu, Shuaifeng Hu, Kento Otsuka, Ruito Hashimoto, Richard Murdey, Takahiro Sasamori, Hyung Do Kim, Hideo Ohkita, Taketo Handa, Yoshihiko Kanemitsu & Atsushi Wakamiya (2020). Sn(IV)-free tin perovskite films realized by in situ Sn(0) nanoparticle treatment of the precursor solution. Nature Communications, 11:3008.

    • 日刊工業新聞(6月17日 25面)に掲載されました。

    高純度スズ系ペロブスカイト半導体膜の作製法を確立 -4価のスズ不純物を取り除くスカベンジャー法の開発-
    現在の画像 JPEG image — 138 KB

    No